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东芝震后宣布量产24nm工艺的嵌入式NAND闪存万芳

发布时间:2020-02-14 10:54:49 阅读: 来源:钢木楼梯厂家

东芝震后宣布量产24nm工艺的嵌入式NAND闪存

全新SmartNAND产品系列的样品将于四月中旬面市,将于2011 年第二季度(四月至六月)正式开始量产。

SmartNAND 产品系列将前沿的24纳米工艺NAND 闪存与支持纠错码 (ECC)的控制芯片有机整合。最新的产品线包含4至64千兆字节 (GB)的五种容量,尤其旨在实现协议变更最小化的同时减轻系统端在处理ECC时的负担。SmartNAND 产品家族主要针对便携式媒体播放器、平板电脑和其它消费数字产品。

全新2纳米产品系列将取代当前的 32纳米产品,其先进工艺结合了处理速度更快的控制器和内部接口,从而能实现更快的读写速度,提高整体性能。SmartNAND 也支持一系列读写速度,以适应不同的设计目标,新的产品将提供四种读取模式和两种写入模式。

新产品继续使用传统NAND接口,并包括一系列针对大容量和高性能应用所优化的全新功能。管理比特错误对于数字产品维持可接受性能和可靠性而言至关重要。将错误管理系统与 NAND 闪存集成在同一封装中,有利于东芝客户利用大容量,且具有卓越错误管理性能的先进闪存解决方案。

目前市场对于支持高分辨率视频和增强型存储的大容量存储芯片,特别是包含控制器功能的嵌入式存储器的需求不断增长。包含控制器功能的嵌入式存储器能最大程度地降低开发要求,降低集成至系统设计中的难度。东芝已成为此关键领域中的领头羊。现在通过进一步升级SmartNAND,东芝将巩固其领先地位。

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